Samsung’ın yeni nesil 400 katmanlı V-NAND’ı daha fazla veri depolayabilecek ve gelişmiş depolama çözümleri için daha yüksek güvenilirlik sağlayacak.
Samsung, yeni nesil için hafıza hücrelerini önemli ölçüde artırmayı hedefliyor ve gelecekte 1000 katmana kadar çıkmayı hedefliyor, 400 katmanlı V-NAND ile dikey bağlama yakında geliyor.
Bir ay önce, yarı iletken devi Samsung, yeni nesil depolama çözümlerinin performansını, depolama kapasitesini ve güvenilirliğini artırmayı hedefleyen QLC 9. nesil V-NAND’ın seri üretimine başladı. Korean Economic Daily’den gelen son bir rapora göre, Samsung, gelecekteki V-NAND teknolojisiyle daha yüksek performansa ulaşmayı planladı. Şirketin, 2026 yılında yeni nesil V-NAND’ını piyasaya sürmesi bekleniyor. Bu, 10. nesil V-NAND ve 400 katmanlı bir yapıya sahip olacak ve mevcut 9. nesil V-NAND’ı 120 katmanla geride bırakacak. Bu, tek nesilde %43’lük doğrudan bir katman artışı ve 8. nesil ile 9. nesil V-NAND arasındaki katman sayısı farkından (236’ya karşı 280 katman) çok daha yüksek. Böyle yüksek bir katman sayısına ulaşmak için Samsung, mevcut CoP (Çevresel Çevrede Devre) tasarımından farklı olacak Bonding Vertical(BV) NAND teknolojisini uygulayacak. CoP tasarımında çevresel devreler bellek yığınının üstünde bulunurken, dikey bağlama yönteminde depolama ve çevresel devrelerin ayrı ayrı üretilmesi ve ardından dikey olarak bağlanmasıyla başlanacak.
Bu, Samsung’un daha yüksek kapasiteye ulaşmasına yardımcı olmakla kalmayacak, aynı zamanda yığılma sürecinde devre hasarını azaltmasına da yardımcı olacak. Dikey bağlamanın YMTC’nin Xtacking ve Kioxia-Western Digital’ın CBA(CMOS Bonded Array) yöntemine benzer bir yöntem olacağı bildiriliyor. Bu yöntemle neredeyse %60 daha yüksek bit yoğunluğu elde edilebilir, bu da aynı alandaki depolama sürücülerinin depolama kapasitesini önemli ölçüde artıracaktır.
Ancak Samsung burada durmuyor. Şirket, 1000 katmanlı V-NAND’a ulaşmayı planlıyor, ancak bu muhtemelen 2027’den önce gerçekleşmeyecek. Bu, büyük olasılıkla 11. nesil V-NAND’da gerçekleşecek ve katman sayısında sağlam bir 2,5 kat artış sağlayacak, bu da I/O hızlarını %50’ye kadar artıracak. DRAM departmanında ise Samsung, 2027 yılında daha hızlı ve daha iyi bir DRAM yayınlayacak. 0a nm (<10nm) teknolojisine dayanacak ve DRAM modüllerinin bellek kapasitesini artırmak için VCT (Dikey Kanal Transistor) teknolojisini kullanacak. VCT ile Samsung, transistörleri dikey olarak inşa ederek 3D DRAM tasarlayabilecek ve böylece bitişik hücrelerden gelen paraziti azaltacak.
DRAM’ın geliştirilmesi, 2025’te 1c nm tabanlı DRAM, 2026’da 1d nm DRAM ve 2027’de 0a nm D-RAM ile başlayacak.
